Kioxia inicia envio de amostras de dispositivos BiCS FLASH™ de 10ª geração, oferecendo alto desempenho, alta capacidade e baixo consumo de energia

A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o início do envio de amostras de dispositivos de memória Triple-Level-Cell (TLC) de 1 Tb (terabit) utilizando sua tecnologia de memória flash 3D BiCS FLASH™ de 10ª geração.¹ Esses dispositivos serão integrados principalmente aos SSDs corporativos e de data center da empresa, fortalecendo a linha de produtos da Kioxia para atender à crescente demanda por armazenamento de IA, que exige maior desempenho, maior capacidade e menor consumo de energia. Esses novos produtos serão fabricados utilizando equipamentos de última geração na fábrica Fab2 da Kioxia em Kitakami, na província de Iwate, Japão.

Aproveitando as inovadoras tecnologias CMOS Directly Bonded to Array (CBA)² e On-Pitch Select Gate Drain (OPS)³, ambas adotadas desde a 8ª geração do BiCS FLASH™, a tecnologia de 10ª geração atinge uma velocidade de interface NAND de 4,8 Gb/s⁴, um aumento de 33% em relação à 8ª geração. A densidade de bits aumentou 59% com o empilhamento de 332 camadas e a melhoria da densidade lateral. Além disso, a eficiência energética de leitura e gravação melhorou 18% e 30%, respectivamente⁵, contribuindo para a redução do consumo de energia em data centers e infraestrutura corporativa.

Sob sua estratégia exclusiva de eixo duplo, a Kioxia está avançando simultaneamente duas linhas de produtos distintas: suas soluções de 9ª geração, que oferecem alto desempenho com um custo de investimento relativamente baixo, e sua tecnologia de 10ª geração, que utiliza empilhamento de camadas avançado para alcançar capacidade massiva e desempenho superior.

Guiada por sua missão de “elevar o mundo com ‘memória'”, a Kioxia permanece comprometida em impulsionar a inovação tecnológica, fortalecer parcerias globais e fornecer as soluções de armazenamento avançadas que alimentam a infraestrutura moderna de IA.

Estas amostras são para fins de verificação funcional e as especificações das amostras podem diferir na produção em massa.
Tecnologia na qual cada wafer CMOS e wafer de matriz de células são fabricados separadamente em suas condições otimizadas e, em seguida, unidos.
Tecnologia que possibilita encurtar a linha de bits e reduzir a capacitância da linha de palavras, removendo buracos de memória não utilizados.
1 Gb/s é calculado como 1.000.000.000 bits/segundo. Este valor é obtido em um ambiente de teste específico na Kioxia Corporation e pode variar dependendo das condições de uso.
A eficiência energética durante a transferência de dados também foi incluída.

Observações:

A densidade do produto é identificada com base na densidade do(s) chip(s) de memória dentro do produto, e não na quantidade de capacidade de memória disponível para armazenamento de dados pelo usuário final. A capacidade utilizável pelo consumidor será menor devido às áreas de dados adicionais, formatação, blocos defeituosos e outras limitações, podendo também variar de acordo com o dispositivo host e o aplicativo. Para obter detalhes, consulte as especificações aplicáveis do produto. 1 Gb = 2^30 bits = 1.073.741.824 bits.
As velocidades de leitura e gravação são os melhores valores obtidos em um ambiente de teste específico na Kioxia Corporation; a empresa não garante as velocidades de leitura ou gravação em dispositivos individuais. As velocidades de leitura e gravação podem variar dependendo do dispositivo utilizado.
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Sobre a Kioxia

A Kioxia é uma líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSDs). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrada da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em elevar o mundo com “memória”, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado em memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, sistemas automotivos, data centers e sistemas de IA generativa.

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